ГЕТЕРОАУЫСУ – химиялық құрамы бойынша әртүрлі екі жартылай өткізгіштердің жанасуы. Әдетте, жартылайөткізгіштердің бөліну шекарасында тыйым салынған жолақтың ені, заряд тасушылардың қозғалғыштығы, олардың эффектілік массалары және басқа сипаттамалары өзгереді. «Күрт» гетероауысуда қасиеттер өзгерістері көлемдік заряд аймағының енімен салыстырғанда оған қарайлас немесе одан кем қашықтықта жүзеге асады. Гетероауысу бір монокрис- талды (газ фазалы) эпитаксиялық әдіс бойынша өзге кристалға өсіру негізінде жүзеге асырылады. Легирлеуге (қоспа қосқанда) тәуелді түрде гетероауысудың екі жағын р – n = гетероауысуды (анизотипті) және n – n – гетероауысу немесе р – р – гетероауысуды (изотипті) жасауға болады. Әртүрлі гетероауысу мен моноауысулар комбинациясы гетероқұрылымдарды құрайды. Бұл ауысулар жартылайөткізгіштік лазерлерде, жарық таратқыш диодтарда, фотоэлементтерде, оптрондарда пайдаланылады.