ГАНН ЭФФЕКТІСІ – жартылайөткізгіште N тәрізді вольт-амперлік сипаттамалы жоғары жиілікті электр тогы тербелістерінің тууы. Бұл эффектіні 1963 ж. американ физигі Джон Ганн (1928 – 2.12.2008) айғақтаған.
Бұл эффекті өткізгіштік зонасы бір төменгі алапты және бірнеше жоғарғы алапта құралған екі алапты жартылайөткізгіштерден байқалады. Мұндағы алап өткізгіштік зонадағы минимум энергиялы аймақтың әрбір минимумының қасындағы аймақ. Жоғарғы алаптағы электрондардың жылжымалығы төменгі алаптағыдан едәуір кем болады. Электрондар күшті электр өрістерінде (Е) қызады, осы электрондардың бір бөлігі төменгі алаптан жоғарғы алапқа ауысады, нәтижесінде электрондардың орташа жылжымалылығы, яғни электрөткізгіштігі төмендейді. Осы жайт Е>Е1 өрістерінде электр өрісінің кернеулігі артқанда ток тығыздығының кемуіне әкеп соғады.
Ганн эффектісі үлгіде Ганн домені деп аталатын күшті электр өрісінің аймағы периодты түрде пайда болып, әлгі өрісте орын ауыстыруына (қозғалады) және жойылуына байланысты туындайды.