Ағындық транзистор (Лавинный транзистор) — ағындық тесіп өту кернеуіне жақын коллекторлық өткелдегі кернеулерде орнықты жұмыс істейтін биполярлық транзистор. Ағындық транзистор жасау үшін Ge және Si негізіндегі р+—р—-типті немесе n+—n—— типті эпитаксиаль құрылымдар пайдаланылады; базалық аймақ диффузия әдісімен немесе имплантациямен орындалады. Ағындық транзистор қысқа импульстергенераторларында қолданылады, мұнда өрлеу уақыты 10−9с токтың қуатты импульстерін (оншақты А-ге дейін) алуға мүмкіндік бар. Осындай қайталау жиілігі 100 МГц-ке дейін қысқа импульстерді қоздыру мүмкіндігі aғындық транзисторды импульстердің сәйкес келу құрылғыларында және стробоскопиялық осциллографтарда пайдалануға әкеледі.