ИНВЕРСИЯЛЫҚ ҚАБАТ – жартылайөткізгіштің негізгі заряд тасушыларынан негізгі емес (қосалқы) заряд тасушыларының тепе-тең шоғырлануы артық болатын аймағының беті. Бұл қабат жартылайөткізгіштің n-типті (р-типті) қабатының көлемге қатысты жеткілікті жоғары теріс (оң) потенциалды болуы кезінде пайда болады. Инверсиялық қабат жартылайөткізгіштің металл жанаспасына жақын, металдың шығу жұмысы жартылайөткізгіштің шығу жұмысынан жартылайөткізгіштің тыйым салынған зонасының (аумағының) енінен артық болған кезде негізгі заряд тасушыны қармап алатын беттік күйі болғанда жүзеге асырылады. Егер инверсиялық қабаттың қалыңдығы заряд тасушылардың еркін жолының ұзындығынан кем болса, онда инверсиялық қабатта квазиекіөлшемді өткізгіштіктің пайда болуы ықтимал. Осы жайт жартылайөткізгіш қабаттың беттік және оптикалық қасиеттерінің өзгеруіне әкеп соқтырады.